ข้อมูลเบื้องต้นเกี่ยวกับ DDR3 RAM รวมถึงประวัติและข้อมูลจำเพาะ [MiniTool Wiki]

Introduction Ddr3 Ram Including Its History

ลองใช้เครื่องมือของเราเพื่อกำจัดปัญหา

เลือกระบบปฏิบัติการ เลือกโปรแกรมการฉาย (ทางเลือก)

อธิบายปัญหาของคุณ

การนำทางอย่างรวดเร็ว:

เกี่ยวกับแรม DDR3

DDR3 SDRAM ย่อมาจาก Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random-Access Memory ซึ่งเป็นหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิกแบบซิงโครนัส (SDRAM) ที่มีอินเทอร์เฟซแบนด์วิดท์สูง ตั้งแต่ปีพ. ศ. 2550 เริ่มใช้งาน อ่านต่อจากนั้นคุณสามารถทราบข้อมูลมากมายเกี่ยวกับ DDR3 RAM ในโพสต์นี้ที่นำเสนอโดย MiniTool .

DDR3 RAM เป็นตัวต่อที่ความเร็วสูงกว่าของ DDR และ DDR2 และในขณะเดียวกันก็ยังเป็นรุ่นก่อนของชิป DDR4 synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) เนื่องจากแรงดันการส่งสัญญาณเวลาและปัจจัยอื่น ๆ ที่แตกต่างกัน DDR3 SDRAM จึงไม่สามารถใช้งานไปข้างหน้าหรือย้อนกลับได้กับประเภทก่อนหน้าใด ๆ หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม (แกะ).

ข้อได้เปรียบหลักของ DDR3 RAM เมื่อเทียบกับ DDR2 SDRAM รุ่นก่อนคือความสามารถในการถ่ายโอนข้อมูลในอัตราสองเท่า (ความเร็วแปดเท่าของอาร์เรย์หน่วยความจำภายใน) ทำให้แบนด์วิดท์สูงขึ้นหรืออัตราข้อมูลสูงสุด

โมดูล DDR3 แบบกว้าง 64 บิตสามารถให้อัตราการถ่ายโอนข้อมูลสูงถึง 64 เท่าของความเร็วนาฬิกาหน่วยความจำโดยการส่งสัญญาณนาฬิการูปสี่เหลี่ยมสองรอบ

ข้อมูล 64 บิตจะถูกส่งผ่านโมดูลหน่วยความจำแต่ละโมดูลในแต่ละครั้ง อัตราการถ่ายโอนของ DDR3 SDRAM คือ (อัตรานาฬิกาหน่วยความจำ) x 4 (สำหรับตัวคูณสัญญาณนาฬิกาแบบบัส) x 2 (สำหรับอัตราข้อมูล) x 64 (จำนวนบิตที่ส่ง) / 8 (จำนวนบิตเป็นไบต์) ดังนั้นด้วยความถี่สัญญาณนาฬิกาหน่วยความจำ 100 MHz อัตราการถ่ายโอนสูงสุดของ DDR3 SDRAM คือ 6400 MB / s

มาตรฐาน DDR3 ช่วยให้ชิป DRAM มีความจุสูงถึง 8 กิบบิตและมีระดับสูงสุด 4 ระดับแต่ละ 64 บิตโดยมีความจุรวมสูงสุด 16 GiB ต่อ DDR3 DIMM เนื่องจาก Ivy Bridge-E ไม่ได้แก้ไขข้อ จำกัด ของฮาร์ดแวร์จนถึงปี 2013 CPU Intel รุ่นเก่าส่วนใหญ่รองรับชิปสูงสุด 4 Gb พร้อม 8 GiB DIMM (ชิปเซ็ต Core 2 DDR3 ของ Intel รองรับเพียง 2 Gb) ซีพียู AMD ทั้งหมดสนับสนุนข้อกำหนดเต็มของ 16 GiB DDR3 DIMM อย่างถูกต้อง

ประวัติศาสตร์

ในเดือนกุมภาพันธ์ 2548 ซัมซุงเปิดตัวชิปหน่วยความจำ DDR3 ต้นแบบตัวแรก ซัมซุงมีบทบาทสำคัญในการพัฒนาและกำหนดมาตรฐานของ DDR3 ในปี 2550 DDR3 เปิดตัวอย่างเป็นทางการ

แรงผลักดันหลักที่อยู่เบื้องหลังการเพิ่มการใช้งาน DDR3 คือโปรเซสเซอร์ Intel Core i7 ใหม่และโปรเซสเซอร์ Phenom II ของ AMD ซึ่งทั้งคู่มีตัวควบคุมหน่วยความจำภายใน: เดิมต้องการ DDR3 และรุ่นหลังแนะนำ

ในเดือนกันยายน 2012 แรม DDR4 ซึ่งเป็นรุ่นต่อจาก DDR3 RAM ได้เปิดตัว

ข้อกำหนด

เมื่อเทียบกับแรม DDR2 แรม DDR3 ใช้พลังงานน้อยกว่า การลดลงนี้มาจากความคลาดเคลื่อนของแรงดันไฟฟ้า: DDR2 คือ 1.8 V หรือ 1.9 V ในขณะที่ DDR3 คือ 1.35 V หรือ 1.5V แรงดันไฟฟ้า 1.5 V ทำงานได้ดีกับเทคโนโลยีการผลิต 90 นาโนเมตรที่ใช้ในชิป DDR3 ดั้งเดิม ผู้ผลิตบางรายยังเสนอให้ใช้ทรานซิสเตอร์แบบ“ ประตูคู่” เพื่อลดการรั่วไหลของกระแส

ตาม JEDEC: เมื่อความเสถียรของหน่วยความจำเป็นข้อพิจารณาหลัก (เช่นในเซิร์ฟเวอร์หรืออุปกรณ์ที่มีความสำคัญต่อภารกิจอื่น ๆ ) ควรพิจารณา 1.575 โวลต์เป็นค่าสูงสุดสัมบูรณ์ ยิ่งไปกว่านั้น JEDEC ยังระบุว่าโมดูลหน่วยความจำต้องทนแรงดันไฟฟ้าได้สูงถึง 1.80 โวลต์จึงจะได้รับความเสียหายถาวรแม้ว่าจะไม่จำเป็นต้องทำงานอย่างถูกต้องในระดับนี้

ข้อดีอีกอย่างคือบัฟเฟอร์ prefetch คือ 8-burst-deep ในทางตรงกันข้ามบัฟเฟอร์ prefetch ของ DDR2 คือ 4-burst-deep ในขณะที่ prefetch buffer ของ DDR คือ 2-burst-deep ข้อดีนี้คือเทคโนโลยีที่เปิดใช้งานในความเร็วการถ่ายโอน DDR3

DDR3 dual-inline memory module (DIMMs) มี 240 พินและไม่รองรับระบบไฟฟ้ากับ DDR2 ตำแหน่งรอยบากสำคัญใน DDR2 และ DDR3 DIMM นั้นแตกต่างกันทำให้ป้องกันไม่ให้ถูกแทนที่โดยไม่ได้ตั้งใจ ไม่เพียง แต่คีย์จะแตกต่างกันเท่านั้น แต่ด้านข้างของ DDR2 ยังมีรอยบากกลมในขณะที่ด้านข้างของโมดูล DDR3 มีรอยบากสี่เหลี่ยม

สำหรับ Skylake microarchitecture Intel ยังได้ออกแบบแพ็คเกจ SO-DIMM ที่เรียกว่า UniDIMM ซึ่งสามารถใช้ชิป DDR3 หรือ DDR4 ได้ จากนั้นตัวควบคุมหน่วยความจำในตัวของ CPU สามารถใช้ตัวใดก็ได้

วัตถุประสงค์ของ UniDIMM คือการจัดการกับการเปลี่ยนจาก DDR3 เป็น DDR4 ซึ่งราคาและความพร้อมใช้งานอาจต้องมีการสลับประเภท RAM UniDIMM มีขนาดและจำนวนพินเดียวกันกับ DDR4 SO-DIMM ทั่วไป แต่รอยบากจะอยู่ต่างกันเพื่อหลีกเลี่ยงการใช้งานโดยไม่ได้ตั้งใจในซ็อกเก็ต DDR4 SO-DIMM ที่เข้ากันไม่ได้

เวลาในการตอบสนอง DDR3 จะสูงกว่าในเชิงตัวเลขเนื่องจากวงจรนาฬิกาบัส I / O ที่วัดค่านั้นสั้นกว่า ช่วงเวลาจริงคล้ายกับ DDR2 delay ประมาณ 10 ns

การใช้พลังงานของชิป SDRAM ตัวเดียว (หรือตามส่วนขยาย DIMM) ขึ้นอยู่กับปัจจัยหลายประการ ได้แก่ ความเร็วประเภทการใช้งานแรงดันไฟฟ้าและอื่น ๆ Power Advisor ของ Dell จะคำนวณว่า ECC DDR1333 RDIMM ขนาด 4 GB แต่ละเครื่องจะใช้พลังงานประมาณ 4W ในการเปรียบเทียบส่วนเดสก์ท็อปหลักที่ทันสมัยกว่า 8 GB DDR3 / 1600 DIMM ได้รับการจัดอันดับที่ 2.58 W แม้ว่าจะเร็วกว่ามาก

เคล็ดลับ: คุณอาจสนใจโพสต์นี้ - [GUIDE] วิธีใช้ฮาร์ดไดรฟ์เป็นแรมบน Windows 10 .

บรรทัดล่าง

DDR3 RAM คืออะไร? หลังจากอ่านโพสต์นี้คุณควรทราบอย่างชัดเจนว่าเป็นหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบซิงโครนัสไดนามิกประเภทหนึ่ง และคุณยังสามารถรับข้อมูลบางอย่างเกี่ยวกับประวัติและรายละเอียด